Conférence Future of Memory and Storage (FMS) : Kioxia Corporation, une filiale de Kioxia Holdings Corporation (TOKYO : 285A) et de Sandisk Corporation (Nasdaq : SNDK), a présenté aujourd'hui sa technologie de mémoire flash 3D Quad-Level-Cell (QLC) de nouvelle génération. Cette mémoire offre une augmentation de la densité de bits de 60 % par rapport à sa 8e génération, dépassant 37 Gb/mm² et établissant la norme de référence en matière1 de densité de bits, de performances et d'efficacité énergétique.
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En exploitant la technologie révolutionnaire CMOS directement liée à la matrice (CBA, pour Directly Bonded to Array) des deux entreprises,2 qui fabrique la logique de CMOS et la matrice de mémoire sur des wafers séparés avant de les lier ensemble en alignant chaque wafer avec une extrême précision, la nouvelle génération améliore la bande passante de lecture et d’écriture par rapport à la mémoire flash 3D de 8e génération. Elle devient ainsi la première technologie de mémoire flash 3D QLC du secteur à atteindre une interface de 4,8 Gb/s.3.
Des améliorations supplémentaires de l'interface optimisent la consommation d'énergie lors du transfert des données d'E/S. Ces importantes améliorations répondent directement aux enjeux que représentent l'alimentation et le refroidissement des infrastructures modernes d'IA et de cloud.
Hideshi Miyajima, CTO de Kioxia, a déclaré : « À mesure que l’IA continue de soutenir les progrès de la société, ses applications couvrent l’IA générative, l’IA agentique et l’IA physique, tandis que l’utilisation des données devient de plus en plus diversifiée et sophistiquée. La technologie QLC permet le stockage efficace de volumes de données en constante évolution, et contribue ainsi à améliorer les performances et l’évolutivité des systèmes d’IA. Kioxia va dynamiser son développement afin de commercialiser ses produits de mémoire flash de 10e génération dotés de la technologie QLC. »
Alper Ilkbahar, CTO de Sandisk, a déclaré : « Face à la croissance sans précédent de la production de données générée par l’entraînement, l’inférence et les charges de travail des centres de données hyperscale liées à l’IA, le secteur du stockage est soumis à une pression toujours plus forte pour offrir une capacité accrue, des performances supérieures et une efficacité énergétique améliorée. Grâce à des performances et une efficacité de la mémoire NAND QLC repensées, notre mémoire flash 3D QLC de 10e génération améliore simultanément la densité, la bande passante et l'efficacité énergétique. Elle établit également un nouveau paradigme pour le stockage flash haute capacité, fournissant ainsi une base évolutive pour les applications d’infrastructure de nouvelle génération. »
Les principaux atouts de la technologie de mémoire flash 3D QLC de 10e génération sont les suivants :
- L'architecture à 332 couches et la conception optimisée du plan d'implantation permettent une augmentation de la densité de bits jusqu'à 60 %, atteignant >37 Gb/mm² par rapport à la 8e génération.
- Une interface à 48Gb/s3 activée par Toggle DDR6.0 et le protocole Separate Command Address (SCA) pour exploiter pleinement le potentiel de l'interface rapide.
- L'architecture CMOS directement liée à la matrice (CBA) améliore la mise à l'échelle de la densité, les performances et l'efficacité de la fabrication.
- La terminaison à faible prise isolée (PI-LTT) améliore l'efficacité énergétique du transfert de données d'E/S.
- Au 4 août 2026, d'après l'étude de Kioxia et Sandisk.
- Technologie dans laquelle chaque wafer CMOS et chaque wafer de matrice de cellules sont fabriqués séparément à des conditions optimales, puis assemblés.
- 1 Gb/s correspond à 1 000 000 000 bits/seconde. Cette valeur a été calculée dans notre environnement de test spécifique et peut varier selon les conditions d'utilisation.
À propos de Kioxia
Kioxia est un leader mondial des solutions de mémoire, dédié au développement, à la production et à la vente de mémoire flash et de disques à semi-conducteurs (SSD). En avril 2017, son prédécesseur Toshiba Memory a été séparé de Toshiba Corporation, la société qui a inventé la mémoire flash NAND en 1987. Kioxia s’engage à améliorer le monde grâce à la « mémoire » en offrant des produits, des services et des systèmes qui créent un choix pour les clients et une valeur basée sur la mémoire pour la société. La technologie innovante de mémoire flash 3D de Kioxia, BiCS FLASH™, façonne l’avenir du stockage dans les applications à haute densité, notamment les smartphones avancés, les PC, les systèmes automobiles, les centres de données et les systèmes d’IA générative.
À propos de Sandisk
Sandisk (Nasdaq : SNDK) propose des solutions Flash innovantes ainsi que des technologies de mémoire avancées répondant à la demande des particuliers et des entreprises, à la croisée de leurs aspirations et des enjeux actuels, leur permettant ainsi de progresser et d’explorer de nouveaux horizons. Suivez Sandisk sur Instagram, Facebook, X, LinkedIn, YouTube. Rejoignez TeamSandisk sur Instagram.
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Déclarations prospectives
Ce communiqué de presse contient des déclarations prospectives au sens des lois fédérales américaines sur les valeurs mobilières, notamment des déclarations concernant les attentes relatives aux performances, aux capacités, à l'amélioration de l'efficacité énergétique, à la densité de bits et à l'évolutivité de la technologie BiCS10 QLC de Sandisk Corporation et de Kioxia Corporation ; la croissance prévue des charges de travail liées à l'entraînement, à l'inférence et aux centres de données hyperscale de l'IA, ainsi que la demande de croissance de la production de données qui en résulte ; les avantages anticipés de l'architecture BiCS10 QLC pour l'IA moderne, l'infrastructure cloud, les centres de données hyperscale et les applications de stockage d'entreprise ; et l'importance prévue de cette technologie pour le secteur et son positionnement concurrentiel. Ces déclarations prospectives reposent sur les attentes actuelles et sont soumises à des risques et incertitudes susceptibles d'entraîner une différence sensible entre les résultats réels et ceux exprimés ou sous-entendus dans celles-ci. Les principaux risques et incertitudes pouvant entraîner une telle différence sont les suivants : une détérioration de la conjoncture économique mondiale ou régionale, notamment l'impact de l'évolution des politiques commerciales, des régimes tarifaires et des guerres commerciales ; la volatilité de la demande de produits Sandisk ; les tendances et fluctuations des prix de vente moyens ; l'exposition aux risques d'exécution, financiers et de marché liés aux accords à long terme ; l'inflation ; les variations des taux d'intérêt et une éventuelle récession économique ; l'impact de la conjoncture commerciale et des conditions de marché ; l’impact des produits et de la politique tarifaire de la concurrence ; le développement et le lancement de produits basés sur de nouvelles technologies et la gestion des transitions technologiques ; les risques associés aux initiatives stratégiques, notamment les restructurations, les acquisitions, les cessions, les mesures de réduction des coûts et les coentreprises ; les risques liés aux défauts des produits ; les difficultés ou les retards de fabrication ou autres perturbations de la chaîne d’approvisionnement ; la dépendance à l’égard des relations stratégiques avec des partenaires clés, notamment Kioxia Corporation ; l’attraction, la fidélisation et le développement de talents techniques et de gestion qualifiés ; les risques associés à l’utilisation de l’intelligence artificielle dans les activités commerciales ; des relations avec les clients clés modifiées ou une base client consolidée ; les compromis, dommages ou interruptions dûs à des incidents de cybersécurité ou à d’autres risques liés à la sécurité des systèmes de données ; la dépendance à l’égard de la propriété intellectuelle ; les fluctuations des taux de change ; les actions de la concurrence ; les risques liés au respect de l’évolution des exigences légales et réglementaires ; et les autres risques et incertitudes mentionnés dans les documents déposés par Sandisk auprès de la Securities and Exchange Commission (SEC), notamment son rapport annuel (formulaire 10-K) déposé auprès de la SEC le 21 août 2025 et son rapport trimestriel (formulaire 10-Q) déposé auprès de la SEC le 1er mai 2026, auxquels nous vous invitons à vous reporter. Il convient de ne pas accorder une importance excessive à ces déclarations prospectives, qui ne sont valables qu’à la date du présent communiqué. Sandisk ne s’engage aucunement à mettre à jour ou à réviser ces déclarations prospectives pour tenir compte de nouvelles informations ou de nouveaux événements, sauf si la loi l’exige.
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