Kioxia Corporation, ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen, hat mit der Auslieferung von Mustern von Triple-Level-Cell-(TLC-)Speicherchips mit einer Kapazität von 1 Tb (Terabit) begonnen, die auf seiner BiCS FLASH™-3D-Flash-Speichertechnologie der 9. Generation basieren1. Die Speicherchips sind für leistungsintensive Anwendungen wie KI-fähige PCs und Smartphones mit geringer bis mittlerer Speicherkapazität ausgelegt.
Kioxia verfolgt weiterhin eine duale Strategie, die auf seiner innovativen CMOS Directly Bonded to Array-Technologie (CBA)2 und der On-Pitch Select Gate Drain-Technologie (OPS)3 aufbaut. Im Rahmen dieser einzigartigen Strategie treibt Kioxia zwei unterschiedliche Produktlinien gleichzeitig voran: seine Lösungen der 9. Generation, die hohe Leistung bei vergleichsweise geringem Investitionsaufwand bieten, und seine Technologie der 10. Generation, die durch fortschrittliche Schichtstapelung enorme Kapazitäten und überragende Leistung erzielt.
Die neuen BiCS FLASH™-TLC-Speicherchips der 9. Generation mit 1 Tb wurden mithilfe eines 230-Schicht-Stapelverfahrens auf Basis der BiCS FLASH™-Technologie der 8. Generation und fortschrittlicher CMOS-Technologie entwickelt. Sie bieten eine NAND-Schnittstellengeschwindigkeit von 4,8 Gb/s – eine Verbesserung um 33 Prozent gegenüber Speicherchips der 8. Generation – und erreichen damit die Leistung der 10. Generation4.
Getreu seiner Tagline „Uplifting the world with memory“ treibt Kioxia weiterhin technologische Innovationen voran, stärkt globale Partnerschaften und entwickelt fortschrittliche Speicherlösungen für die KI-Infrastruktur von morgen.
- Die bereitgestellten Muster dienen der Funktionsprüfung. Die tatsächlichen Spezifikationen der Serienprodukte können davon abweichen.
- Bei dieser Technologie werden CMOS-Wafer und Zellarray-Wafer zunächst jeweils unter individuell optimierten Bedingungen separat gefertigt und anschließend miteinander verbunden. Sie ist seit der 8. Generation der BiCS FLASH™-Produkte im Einsatz.
- Diese Technologie verkürzt die Bitleitung und reduziert die Kapazität der Wortleitung, indem nicht genutzte Speicheröffnungen entfallen. Auf ihr basieren bereits die BiCS FLASH™-Produkte der 8. Generation.
- 1 Gb/s entspricht 1.000.000.000 Bit pro Sekunde. Dieser Wert wurde unter definierten Testbedingungen bei Kioxia Corporation ermittelt. Die Ergebnisse können im tatsächlichen Einsatz je nach Nutzungsbedingungen variieren.
Hinweise:
* Die angegebene Produktdichte bezieht sich auf die Dichte der im Produkt verbauten Speicherchips und nicht auf die Speicherkapazität, die dem Endnutzer tatsächlich zur Datenspeicherung zur Verfügung steht. Durch Verwaltungsdaten, Formatierung, fehlerhafte Blöcke und weitere technische Faktoren fällt die nutzbare Kapazität geringer aus und kann zudem je nach Host-Gerät und Anwendung variieren. Weitere Informationen finden Sie in den jeweiligen Produktspezifikationen. 1Gb = 2^30 Bit = 1.073.741.824 Bit.
* Bei den angegebenen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten handelt es sich um die unter definierten Testbedingungen bei Kioxia Corporation erzielten Höchstwerte. Die tatsächlichen Werte einzelner Geräte können abweichen und hängen unter anderem vom verwendeten Gerät ab.
* Unternehmens-, Produkt- und Dienstleistungsnamen können Marken der jeweiligen Rechteinhaber sein.
* Diese Mitteilung dient ausschließlich der Information über unsere Geschäftstätigkeit. Sie stellt in keiner Rechtsordnung ein Angebot zum Verkauf von Wertpapieren, eine Aufforderung zur Abgabe eines Kauf- oder Zeichnungsangebots oder eine sonstige Aufforderung zum Erwerb von Wertpapieren dar. Ebenso wenig ist sie als Anreiz für Investitionstätigkeiten zu verstehen oder als Grundlage für einen entsprechenden Vertrag heranzuziehen.
* Die in diesem Dokument enthaltenen Angaben, darunter Produktpreise und -spezifikationen, Leistungsumfang und Kontaktdaten, entsprechen dem Stand zum Zeitpunkt der Veröffentlichung und können ohne vorherige Ankündigung geändert werden.
Über Kioxia
Kioxia ist ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen, der sich auf die Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Flash-Speichern und Solid-State-Drives (SSD) spezialisiert hat. Im April 2017 wurde der Vorgänger Toshiba Memory aus der Toshiba Corporation ausgegliedert, dem Unternehmen, das 1987 den NAND-Flash-Speicher erfunden hatte. Kioxia hat es sich zur Aufgabe gemacht, die Welt mithilfe von Speicherprodukten zu bereichern, indem das Unternehmen Produkte, Dienstleistungen und Systeme anbietet, die eine Auswahl für die Kunden und einen speicherbasierten Nutzen für die Gesellschaft schaffen. Die innovative 3D-Flash-Speichertechnologie von Kioxia, BiCS FLASH™, prägt die Zukunft der Datenspeicherung in Anwendungen mit hoher Speicherdichte, darunter fortschrittliche Smartphones, PCs, Automobilsysteme, Rechenzentren und generative KI-Systeme.
Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.
Originalversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20260729945747/de/
© Business Wire, Inc.
Disclaimer :
This press release is not a document produced by AFP. AFP shall not bear responsibility for its content. In case you have any questions about this press release, please refer to the contact person/entity mentioned in the text of the press release.