Die Rigaku Corporation, ein globaler Lösungspartner für Röntgenanalysesysteme und ein Konzernunternehmen der Rigaku Holdings Corporation (Hauptsitz: Akishima, Tokio; CEO: Jun Kawakami; „Rigaku“), gab bekannt, dass sie ihre Entwicklung von Messtechnologien für Halbleiter der nächsten Generation unter Nutzung globaler Forschungsumgebungen ausweiten wird.
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Signing ceremony with imec held on April 9
Im Rahmen dieser Initiative arbeitet Rigaku im Rahmen eines dreijährigen Entwicklungsprogramms mit imec zusammen, einem weltweit führenden Forschungs- und Innovationszentrum für Halbleiter mit Sitz in Belgien. Im Rahmen dieser Bemühungen wird Rigaku seine Kerntechnologien im Bereich der Röntgentechnik weiterentwickeln, darunter die 3D-Gerätemesstechnik, die hochempfindliche Detektion ultradünner Schichten und Spurenelemente sowie die zerstörungsfreie Prüfung mikroskopisch kleiner Defekte.
Mit der Weiterentwicklung von Halbleiterbauelementen hin zu fortschrittlichen Architekturen wie Gate-All-Around (GAA) und Complementary FET (CFET)1 sowie der zunehmenden Speicherdichte werden die Fertigungsprozesse immer komplexer. Dies führt zu einer steigenden Nachfrage nach hochpräzisen, zerstörungsfreien Mess- und Prüftechnologien, die eine stabile Serienfertigung gewährleisten. Rigaku wird diesen Anforderungen gerecht, indem es hochwertige, differenzierte Mess- und Prüflösungen anbietet.
Schwerpunktbereiche
- Fortgeschrittene Logik: Mess- und Prüftechnologien für CFET-Bauelemente
- Fadenkreuz-Messtechnik: Bewertung der Alterung von Fotomasken, die in der EUV2-Lithografie verwendet werden
- Fortgeschrittene Verdrahtung und Gehäusetechnik3: Technologien zur zerstörungsfreien Prüfung
- Fortgeschrittener Speicher: Untersuchung von Nanostrukturen in 3D-DRAM (einem Speicherbaustein der nächsten Generation)
Markus Kuhn, Executive Officer und General Manager des Geschäftsbereichs Halbleitermesstechnik bei Rigaku, erklärte: „Der adressierbare Markt (SAM) für Rigakus Mess- und Inspektionsprodukte im Bereich fortschrittlicher KI-Halbleiter wird bis 2030 voraussichtlich ein Volumen von rund 1 Milliarde US-Dollar erreichen. Um diesem Marktwachstum gerecht zu werden, wird Rigaku weiterhin hochwertige, differenzierte Produkte einführen, mit dem Ziel, einen Anteil von 50 % an diesem SAM zu erreichen. Die Stärkung unserer Zusammenarbeit mit imec wird unsere Wettbewerbsfähigkeit im Bereich der Mess- und Inspektionstechnik mit hoher Wertschöpfung weiter verbessern und das mittel- bis langfristige Wachstum unterstützen.“
1 GAA/CFET: Gate-All-Around- bzw. komplementäre Feldeffekttransistoren. Eine Bauelementarchitektur der nächsten Generation, bei der n- und p-Typ-Transistoren vertikal übereinandergeschichtet werden, um die Bauelementdichte über die Grenzen der GAA-Technologie (Gate-All-Around) hinaus zu steigern.
2 EUV-Belichtung: Eine Schlüsseltechnologie für die moderne Halbleiterfertigung, die die Herstellung ultrafeiner Schaltkreismuster ermöglicht.
3 Fortschrittliche Verpackungstechniken: Verpackungstechnologien, die mehrere Halbleiterchips integrieren, um die Leistung zu steigern und den Stromverbrauch zu senken
Über die Rigaku Group
Seit der Gründung im Jahr 1951 haben sich die Ingenieure der Rigaku Group dem Ziel verschrieben, der Gesellschaft mit Spitzentechnologien zu helfen, insbesondere in den Kernbereichen Röntgen- und Thermoanalyse. Mit einer Marktpräsenz in 136 Ländern und Regionen und rund 2.000 Mitarbeitern in 9 weltweiten Niederlassungen ist Rigaku ein Lösungspartner für die Industrie und Forschungsinstitute. Unsere Verkaufsquote in Übersee hat etwa 70 % erreicht, während wir in Japan einen außergewöhnlich hohen Marktanteil halten. Gemeinsam mit unseren Kunden entwickeln wir uns weiter und wachsen. Da sich die Anwendungen von Halbleitern, elektronischen Materialien, Batterien, Umwelt, Ressourcen, Energie, Biowissenschaften bis hin zu anderen High-Tech-Bereichen erstrecken, verwirklicht Rigaku Innovationen unter dem Motto „To Improve Our World by Powering New Perspectives“.
Für weitere Informationen besuchen Sie bitte rigaku-holdings.com/english
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