Kioxia Corporation, empresa líder mundial en soluciones de memoria, anunció hoy el desarrollo de transistores de canal de óxido-semiconductor altamente apilables que permitirán la implementación práctica de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) 3D de alta densidad y bajo consumo. Esta tecnología se presentó en la IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) celebrada en San Francisco, EE. UU., el 10 de diciembre, y tiene el potencial de reducir el consumo de energía en una amplia ga...