JEOL Ltd. (Président-directeur général : Izumi Oi) annonce le développement de son nouveau microscope électronique à balayage avec fraisage ionique à faible angle, HAXIS, dont les ventes débuteront débutera le 5 octobre 2026.
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HAXIS Low-angle Ion Milling Scanning Electron Microscope
Microscope électronique à balayage avec fraisage ionique à faible angle HAXIS
Contexte du développement
À mesure que les structures des dispositifs semi-conducteurs de pointe continuent de se miniaturiser et de gagner en complexité, il est devenu difficile d’entrer en contact avec des circuits à l’échelle microscopique et de les mesurer à l’aide de nanomanipulateurs. De plus, le contact provoqué par le sondage peut affecter la cible d’analyse, ce qui rend nécessaire le recours à de nouvelles méthodes d’analyse des défaillances.
JEOL a mené des recherches à long terme sur la technologie de détection par contraste de tension passive (PVC) et a mis au point une méthode d’observation PVC stable et hautement reproductible grâce aux progrès réalisés dans le domaine des détecteurs et des techniques de préparation des échantillons.
HAXIS est la nouvelle plateforme d’analyse des défaillances des semi-conducteurs de JEOL qui combine ces technologies.
Elle permet une observation PVC claire et hautement reproductible, même sur des semi-conducteurs de pointe. En détectant visuellement les anomalies électriques tout en minimisant les effets des dommages liés au traitement et de la contamination, il est possible d’identifier de manière précise l’emplacement du défaut et d’en déterminer la cause. L’utilisation de l’argon (Ar), un gaz inerte, garantit une qualité de surface stable et réduit les coûts d’exploitation.
La qualité de l’observation PVC est fortement influencée par l’état de la surface de l’échantillon après le décapage. HAXIS utilise une technique unique de décapage par fraisage ionique à faible angle (LIM) utilisant des faisceaux d’ions d’argon pour créer une surface plane tout en endommageant le moins possible la surface de l’échantillon. Cela permet une observation PVC claire et hautement reproductible tout en conservant les informations structurelles et de potentiel, même dans les dispositifs de pointe.
L’analyse des défaillances des semi-conducteurs implique plusieurs étapes, de la localisation des défauts à l’analyse physique et à la recherche de la cause première. À mesure que la complexité des dispositifs augmente, il devient de plus en plus crucial de réduire le délai entre la détection de la défaillance et l’obtention de résultats exploitables.
HAXIS propose une nouvelle approche de la localisation des défaillances en intégrant le décapage LIM à l’imagerie MEB et à l’analyse par contraste de tension passif (PVC). Ce flux de travail combiné permet une identification rapide et très précise des emplacements de défaillance, favorisant une analyse des défaillances à délai d’exécution réduit (QTAT) et accélérant le passage de la détection électrique de la défaillance à l’analyse physique et à l’identification de la cause première.
Caractéristiques principales
- Imagerie PVC nette
- Traitement à l’argon économique
- Délaminage sans dommage grâce à la technologie LIM
- Analyse LIM/PVC couche par couche à l'aide de la technologie LIM
- Transfert sans contamination
Objectif de vente
15 unités / an
Présentation du produit
Système multi-faisceaux HAXIS LIM-SEM
https://www.jeol.com/products/scientific/sem/haxis.php
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