Conferencia “Future of Memory and Storage” (FMS) – Kioxia Corporation, Kioxia Corporation, una filial de Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A), y SanDisk Corporation (Nasdaq: SNDK) presentaron hoy su tecnología de memoria flash 3D de celda de cuádruple nivel (QLC) de próxima generación, que ofrece un aumento de hasta el 60% en la densidad de bits en comparación con su 8.ª generación, superando los 37 Gb/mm² y estableciendo el punto de referencia de la industria1 en cuanto a densidad de bits, rendimiento y eficiencia energética.
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Aprovechando la revolucionaria tecnología de semiconductor complementario de óxido metálico (CMOS) directamente unida a la matriz (CBA)2 de las empresas, que fabrica la lógica CMOS y la matriz de memoria en obleas separadas antes de unirlas mediante una alineación de oblea a oblea de alta precisión, la nueva generación mejora el ancho de banda de lectura y escritura en comparación con la memoria flash 3D de 8.ª generación y se convierte en la primera tecnología de memoria flash 3D QLC de la industria en alcanzar una interfaz de 4,8 Gb/s3.
Otras mejoras incorporadas en la interfaz aumentan la eficiencia energética en la transferencia de datos de salida de E/S. Mediante estas importantes mejoras en la eficiencia energética se abordan de manera directa los desafíos de consumo de energía y enfriamiento que presentan las modernas infraestructuras de IA y en la nube.
Hideshi Miyajima, director de Tecnología de Kioxia, declaró: “A medida que la IA sigue impulsando el avance de la sociedad, sus aplicaciones ganan terreno desde la IA generativa hasta la IA basada en agentes y la IA física, mientras que el uso de los datos se vuelve cada vez más diverso y sofisticado. La tecnología QLC permite el almacenamiento eficiente de volúmenes de datos en rápida expansión, y esto contribuye a ofrecer un mayor rendimiento y escalabilidad para los sistemas de IA. Kioxia se ha comprometido a acelerar el desarrollo para la comercialización de sus productos de memoria flash de 10.ª generación que incorporan la tecnología QLC”.
Alper Ilkbahar, director de Tecnología de SanDisk, señaló: “A medida que el entrenamiento y la inferencia de la IA, así como las cargas de trabajo de los centros de datos a hiperescala, impulsan un crecimiento nunca visto en la generación de datos, la industria del almacenamiento se enfrenta a una presión cada vez mayor para ofrecer mayor capacidad, mayor rendimiento y una mejor eficiencia energética. Al redefinir los límites de rendimiento y eficiencia de la tecnología NAND QLC, nuestra memoria flash 3D QLC de 10.ª generación ofrece mejoras simultáneas en densidad, ancho de banda y eficiencia energética, y establece un nuevo paradigma para el almacenamiento flash de alta capacidad con el fin de proporcionar una base escalable para las aplicaciones de infraestructura de próxima generación”.
Entre los aspectos clave de la tecnología de memoria flash 3D QLC de 10.ª generación se incluyen:
- La arquitectura de 332 capas y el diseño optimizado del plano de disposición ofrecen un aumento de hasta el 60% en la densidad de bits, con lo que se alcanzan más de 37 Gb/mm² en comparación con la 8.ª generación.
- Interfaz NAND de 4,8 Gb/s3 habilitada por Toggle DDR6.0 y el protocolo de dirección de comando separada (Separate Command Address, SCA) para aprovechar todo el potencial de la interfaz rápida.
- La arquitectura CMOS directamente unida a la matriz (CBA) mejora el escalado de densidad, el rendimiento y la eficiencia de fabricación.
- La tecnología de interfaz Power-Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT) mejora la eficiencia energética en la transferencia de datos de salida de E/S.
- Al 4 de agosto de 2026, según una encuesta realizada por Kioxia y SanDisk.
- Tecnología en la que cada oblea CMOS y cada oblea de matriz de celdas se fabrican por separado en sus condiciones óptimas y luego se unen entre sí.
- 1 Gb/s se calcula como 1 000 000 000 de bits por segundo. Este valor se obtiene en nuestro entorno de prueba específico y puede variar según las condiciones de uso.
Acerca de Kioxia
Kioxia es líder mundial en soluciones de memoria, dedicada al desarrollo, producción y venta de memorias flash y unidades de estado sólido (SSD). En abril de 2017, su predecesora Toshiba Memory se escindió de Toshiba Corporation, la empresa que inventó la memoria flash NAND en 1987. Kioxia se compromete a mejorar el mundo con “memoria” ofreciendo productos, servicios y sistemas que generen opciones para los clientes y valor basado en la memoria para la sociedad. La innovadora tecnología de memoria flash 3D de Kioxia, BiCS FLASH™, está dando forma al futuro del almacenamiento en aplicaciones de alta densidad, incluidos teléfonos inteligentes avanzados, PC, sistemas automotrices, centros de datos y sistemas de inteligencia artificial generativa.
Acerca de Sandisk
Sandisk (Nasdaq: SNDK) ofrece soluciones flash innovadoras y tecnologías avanzadas de memoria diseñadas para acompañar las necesidades actuales y futuras de las personas y las empresas, con el objetivo de ayudarlas a avanzar y ampliar sus posibilidades. Siga a Sandisk en Instagram, Facebook, X, LinkedIn y YouTube. Únase a TeamSandisk en Instagram.
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Declaraciones prospectivas
El presente comunicado de prensa contiene declaraciones prospectivas en el sentido de las leyes federales de valores de los EE. UU., incluidas declaraciones relativas a las expectativas sobre el desempeño, las capacidades, la mayor eficiencia energética, la densidad de bits y la escalabilidad de la tecnología BiCS10 QLC de Sandisk Corporation y Kioxia Corporation; el crecimiento previsto de las cargas de trabajo de entrenamiento e inferencia de IA y de los centros de datos a hiperescala, así como la demanda resultante de un aumento en la generación de datos; los beneficios previstos de la arquitectura BiCS10 QLC para la IA moderna, la infraestructura en la nube, los centros de datos a hiperescala y las aplicaciones de almacenamiento empresarial; así como la importancia prevista para la industria y el posicionamiento competitivo de la tecnología. Estas declaraciones prospectivas se basan en las expectativas actuales y están sujetas a riesgos e incertidumbres que podrían hacer que los resultados reales difieran de forma sustancial de los expresados o implícitos en las declaraciones prospectivas. Entre los principales riesgos e incertidumbres que podrían hacer que los resultados reales difieran en gran medida de los expresados o implícitos en las declaraciones prospectivas se incluyen: cambios adversos en las condiciones económicas mundiales o regionales, incluido el impacto de la evolución de las políticas comerciales, los regímenes arancelarios y las guerras comerciales; la volatilidad en la demanda de los productos de SanDisk; las tendencias de precios y las fluctuaciones en los precios medios de venta; la exposición a riesgos de ejecución, financieros y de mercado debido a acuerdos a largo plazo; la inflación; los cambios en las tasas de interés y una posible recesión económica; el impacto de las condiciones comerciales y de mercado; el impacto de los productos y precios de la competencia; el desarrollo y la introducción de productos basados en nuevas tecnologías y la gestión de las transiciones tecnológicas; los riesgos asociados con iniciativas estratégicas, que incluyen reestructuraciones, adquisiciones, desinversiones, medidas de ahorro de costos y empresas conjuntas; los riesgos relacionados con defectos en los productos; las dificultades o retrasos en la fabricación u otras interrupciones en la cadena de suministro; la dependencia de relaciones estratégicas con socios clave, incluido Kioxia Corporation; la captación, retención y desarrollo de personal directivo y técnico calificado; los riesgos asociados con el uso de la inteligencia artificial en las operaciones comerciales; los cambios en las relaciones con clientes clave o la consolidación entre la base de clientes; vulneraciones, daños o interrupciones derivadas de incidentes de ciberseguridad u otros riesgos para la seguridad de los sistemas de datos; la dependencia de la propiedad intelectual; las fluctuaciones en los tipos de cambio; acciones de la competencia; riesgos asociados con el cumplimiento de requisitos legales y regulatorios en constante cambio; y demás riesgos e incertidumbres enumerados en los documentos presentados por SanDisk ante la Comisión de Valores y Bolsa (SEC), incluido su Informe Anual en el Formulario 10-K presentado ante la SEC el 21 de agosto de 2025 y su Informe Trimestral en el Formulario 10-Q presentado ante la SEC el 1 de mayo de 2026, a los que se le recomienda prestar atención. No se debe depositar una confianza indebida en estas declaraciones prospectivas, que son válidas únicamente a la fecha del presente documento, y Sandisk no asume ninguna obligación de actualizar o revisar estas declaraciones prospectivas para reflejar nueva información o acontecimientos, salvo que lo exija la ley.
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