GigaDevice, ein führendes Halbleiterunternehmen mit Fokus auf Flash-Speicher, 32-Bit-Mikrocontrollern (MCUs), Sensoren und analoge Produkte, hat heute die Einführung einer neuen Generation leistungsstarker xSPI-NOR-Flash-Module mit Dual-Voltage-Design bekannt gegeben: die GD25NX-Serie. Mit 1,8-V-Core und 1,2-V-I/O-Design lässt sich die GD25NX-Serie ohne externe Booster-Schaltung direkt an 1,2-V-System-on-Chips (SoCs) anschließen. Dadurch werden der Stromverbrauch des Systems und die Stücklistenkosten erheblich gesenkt.
Diese Pressemitteilung enthält multimediale Inhalte. Die vollständige Mitteilung hier ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20251124637297/de/
Anknüpfend an den Erfolg der 1,2-V-I/O-Serien GD25NF und GD25NE erweitert GigaDevice mit der neuen Serie GD25NX sein Expertise im Dual-Voltage-Flash-Bereich. Mit ihrer hohen Datenübertragungsleistung und überragenden Zuverlässigkeit ist die GD25NX-Serie ideal für anspruchsvolle Anwendungen wie Wearables, Rechenzentren, Edge-KI oder Automobilelektronik, die eine besonders hohe Stabilität, Reaktionsfähigkeit und Energieeffizienz erfordern.
Das GD25NX xSPI NOR-Flash-Modul unterstützt eine Oktal-SPI-Schnittstelle mit einer maximalen Taktfrequenz von 200 MHz in den Modi Single Transfer Rate (STR) und Double Transfer Rate (DTR) und liefert einen Datendurchsatz von bis zu 400 MB/s. Es erreicht eine typische Page-Program-Zeit von 0,12 ms und eine Sektor-Löschzeit von 27 ms und ermöglicht damit eine um 30 % höhere Programmiergeschwindigkeit und eine um 10 % kürzere Löschzeit im Vergleich zu herkömmlichen 1,8-V-Oktal-Flash-Produkten.
Um die Datenzuverlässigkeit sicherzustellen, verfügt die GD25NX-Serie über integrierte ECC-Algorithmen (Error Correction Code) und CRC-Prüfungen (Cyclic Redundancy Check), die die Datenintegrität optimieren und die Lebensdauer des Produkts verlängern. Zudem unterstützt die Serie eine Datenstrobe-Funktionalität (DQS), um die Signalintegrität in Hochgeschwindigkeitssystemen zu wahren und die hohen Anforderungen an die Datenübertragungsstabilität von SoCs in Rechenzentren und Automobilanwendungen zu erfüllen.
Die GD25NX-Serie basiert auf einer innovativen 1,2-V-I/O-Architektur und zeichnet sich sowohl durch ihre herausragende Leistung als auch durch ihre beeindruckende Energieeffizienz aus. Bei einer Frequenz von 200 MHz erzielt das Gerät Leseströme von nur 16 mA im Octal-I/O-STR-Modus und 24 mA im Octal-I/O-DTR-Modus. Im Vergleich zu herkömmlichen 1,8-V-Octal-I/O-SPI-NOR-Flash-Bauelementen reduziert das 1,2-V-I/O-Design den Stromverbrauch beim Lesen um bis zu 50 % und trägt so zu einer deutlichen verbesserten Energieeffizienz des Systems bei. Gleichzeitig wird ein Betrieb mit hoher Geschwindigkeit aufrechterhalten. Damit eignet sich dieses Produkt ideal für Anwendungen, bei denen es auf den Stromverbrauch ankommt.
„Die GD25NX-Serie setzt neue Maßstäbe für die Kombination von niedriger Spannung und hoher Leistung in SPI-NOR-Flash-Modulen“, kommentiert Ruwei Su, Vice President und General Manager der Flash BU bei GigaDevice. „Sein Design entspricht weitgehend den gängigen SoC-Anforderungen für Niederspannungsschnittstellen und ermöglicht eine bessere Integration und niedrigere Stücklistenkosten. Künftig wird GigaDevice sein Dual-Voltage-Portfolio mit einer größeren Auswahl an Speicherdichten und Gehäuseoptionen weiter ausbauen, um seinen Kunden bei der Entwicklung der nächsten Generation effizienter und zuverlässiger Speicherlösungen mit niedrigem Stromverbrauch zu helfen.“
Die GD25NX-Serie ist mit Speicherkapazitäten von 64 MB und 128 MB lieferbar und wird so den vielfältigen Speicheranforderungen von Anwendungen gerecht. Diese Bauelemente werden in TFBGA24-Gehäusen mit den Abmessungen 8 × 6 mm (5 × 5 Kugelarray) und WLCSP-Gehäusen (4 × 6 Kugelarray) angeboten. Muster des 128-Mb-GD25NX128J stehen ab sofort zur Evaluierung durch Kunden zur Verfügung. Muster des 64-Mb-GD25NX64J befinden sich derzeit in Vorbereitung. Für detaillierte technische Informationen oder Preisanfragen wenden Sie sich bitte an Ihren autorisierten GigaDevice-Vertriebspartner vor Ort.
Über GigaDevice
GigaDevice Semiconductor Inc. ist ein weltweit führender Fabless-Anbieter. Das Unternehmen wurde im April 2005 gegründet und hat seitdem seine internationale Präsenz kontinuierlich ausgebaut. Im Jahr 2025 wurde der globale Hauptsitz in Singapur gegründet. Heute unterhält GigaDevice Niederlassungen in zahlreichen Ländern und Regionen und bietet seinen Kunden lokalisierten Support vor Ort. GigaDevice hat sich zum Ziel gesetzt, ein umfassendes Ökosystem mit wichtigen Produktlinien – Flash-Speicher, MCU, Sensoren und Analogtechnik – als treibende Kraft aufzubauen und bietet eine breite Palette an Lösungen und Dienstleistungen in den Bereichen Industrie, Automobil, Computer, Unterhaltungselektronik, IoT, Mobilfunk, Netzwerke und Kommunikation. GigaDevice hat die Zertifizierung nach ISO 26262:2018 für funktionale Sicherheit in der Automobilindustrie (ASIL D), die Produktzertifizierung nach IEC 61508 für funktionale Sicherheit sowie die Zertifizierungen nach ISO 9001, ISO 14001, ISO 45001 und Duns erhalten. In unserem ständigen Bestreben, unser Technologieangebot für Kunden zu erweitern, hat GigaDevice auch strategische Allianzen mit führenden Foundries, Montage- und Testwerken geschlossen, um das Lieferkettenmanagement zu optimieren. Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.gigadevice.com
*GigaDevice und seine Logos sind Marken oder eingetragene Marken von GigaDevice Semiconductor Inc. Andere Namen und Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.
Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.
Originalversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20251124637297/de/
© Business Wire, Inc.
Advertencia :
Este comunicado de prensa no es un documento producido por AFP. AFP no será responsable de su contenido. Para cualquier pregunta relacionada, por favor póngase en contacto con las personas/entidades mencionadas en el comunicado de prensa.