شركة TetraMem تعزّز الحوسبة التناظرية داخل الذاكرة بإتمام تصميم شريحة SoC جديدة للذكاء الاصطناعي بتقنية 12 نانومتر

الاستفادة من حلول أتمتة التصميم الإلكتروني (EDA) المدعومة بالسحابة من Synopsys لتوسيع نطاق تطوير شرائح الذكاء الاصطناعي القائمة على ذاكرة RRAM متعددة المستويات باستخدام تقنيات تصنيع FinFET المتقدمة

أعلنت شركة TetraMem، الرائدة في مجال الحوسبة التناظرية داخل الذاكرة (A-IMC) ومقرها سيليكون فالي، عن إتمام تصميم شريحة MLX300، وهي أول شريحة نظام على رقاقة (SoC) في العالم للحوسبة التناظرية داخل الذاكرة بتقنية 12 نانومتر تعتمد على تكنولوجيا ذاكرة RRAM متعددة المستويات. وقد طُوّرت شريحة SoC باستخدام حلول أتمتة التصميم الإلكتروني (EDA) الرائدة في الصناعة، والتي أُتيحت من خلال خدمة Synopsys Cloud FlexEDA، ويمثّل هذا الإنجاز خطوة مهمة نحو توظيف هذه البنية في حلول الحوسبة الجاهزة للإنتاج باستخدام تقنيات التصنيع المتقدمة.

صرح Glenn Ge، الرئيس التنفيذي وأحد مؤسسي شركة TetraMem، قائلاً: "تمثّل البنية التي طوّرتها TetraMem نهجًا جديدًا جذريًا في حوسبة الذكاء الاصطناعي، إذ تجمع بين الذاكرة والحوسبة في منظومة واحدة". "كان للاستفادة من حلول أتمتة التصميم الإلكتروني من Synopsys عبر خدمة Synopsys Cloud دور أساسي في تعزيز أواصر التعاون العالمي بكفاءة وتسريع انتقالنا من الابتكار البحثي إلى تصميم رقائق السيليكون القابلة للتصنيع."

يأتي إتمام تصميم شريحة MLX300 بعد إعلان TetraMem مؤخرًا عن شريحتي MLX200/MLX200M، وهما شريحتا SoC للحوسبة التناظرية داخل الذاكرة (A-IMC) تعتمدان على تكنولوجيا ذاكرة RRAM متعددة المستويات، وقد نُفّذتا باستخدام تقنية تصنيع تجارية بدقة 22 نانومتر، وهو ما يمثّل نجاح الشركة في استكمال تصميم شريحتين باستخدام مجموعتين كاملتين من الأقنعة الضوئية خلال عام 2026. وقد استفاد التصميمان من حلول أتمتة التصميم الإلكتروني (EDA) من Synopsys المقدّمة عبر خدمة Synopsys Cloud FlexEDA، ما أتاح تطويرًا موزعًا عالي الكفاءة بين فرق الهندسة التابعة لشركة TetraMem في الولايات المتحدة وسنغافورة، هذا إلى جانب تعزيز إنتاجية التصميم وتسريع دورات التكرار والتطوير بشكل ملحوظ. فعلى سبيل المثال، خفّضت شركة TetraMem الوقت اللازم لتهيئة بيئة التصميم بالكامل من أسابيع إلى دقائق، وحققت سرعة أكبر بثلاثة أضعاف في محاكاة التحقق من مستوى نقل السجلات (RTL) مقارنةً بأساليب العمل المحلية.

صرح Sanjay Bali، نائب الرئيس الأول لإدارة منتجات أتمتة التصميم الإلكتروني (EDA) وإستراتيجيتها في Synopsys، قائلاً: "يعكس عمل TetraMem في مجال الحوسبة التناظرية داخل الذاكرة نوع الابتكار الجريء اللازم لإطلاق العنان لموجة جديدة من الأداء والكفاءة في مجال الذكاء الاصطناعي". "يسرّنا في Synopsys دعم شركة TetraMem من خلال حلول التصميم المدعومة بالسحابة، وتقنيات أتمتة التصميم الإلكتروني (EDA) المتقدمة، وحلول الملكية الفكرية (IP) المثبتة، للمساعدة على تسريع تطوير الجيل القادم من أجهزة الذكاء الاصطناعي".

تتيح البنية الفريدة لشركة TetraMem تطوير مسرّعات الذكاء الاصطناعي من الجيل التالي على نطاق واسع، بهدف تحقيق تحسّن كبير في الأداء لكل واط والحد من الاختناقات الناجمة عن نقل البيانات. وتستند شريحة MLX300 إلى تلك البنية لتكون مسرّعًا متعدد الاستخدامات في شريحة واحدة، مخصصًا للصوت والرؤية الحاسوبية ونماذج اللغة الصغيرة، مع دعم ما يصل إلى 64 مليون مُعامل بصيغة INT4 داخل الشريحة، من دون الحاجة إلى ذاكرة DRAM خارجية لتخزين أوزان النموذج. يجدر هنا ذكر أنَّ شريحة SoC تهدف إلى تحقيق كفاءة في استهلاك الطاقة تتجاوز 50–80 تريليون عملية في الثانية لكل واط (TOPS/W)، ما يبرز إمكانات الحوسبة التناظرية القائمة على ذاكرة RRAM في تحقيق مكاسب كبيرة في الكفاءة للجيل التالي من عمليات استدلال الذكاء الاصطناعي.

نبذة عن TetraMem

تُعدّ TetraMem شركة متخصصة في أشباه موصلات الذكاء الاصطناعي، مقرها سيليكون فالي، وينصب تركيزها على تطوير تقنيات الحوسبة التناظرية داخل الذاكرة القائمة على ذاكرة RRAM متعددة المستويات (الميمريستور)، بهدف تحسين كفاءة استهلاك الطاقة وقابلية التوسع في تطبيقات الذكاء الاصطناعي بدرجة كبيرة.

إن نص اللغة الأصلية لهذا البيان هو النسخة الرسمية المعتمدة. أما الترجمة فقد قدمت للمساعدة فقط، ويجب الرجوع لنص اللغة الأصلية الذي يمثل النسخة الوحيدة ذات التأثير القانوني.

جهة الاتصال الإعلامية:

Glenn Ge

pr@tetramem.com