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Transphorm livre plus d’un demi-million de périphériques d’alimentation GaN pour applications de plusieurs kilowatts

GOLETA, Californie

Transphorm Inc., le leader dans la conception et la fabrication des premiers et des plus fiables semi-conducteurs au nitrure de gallium (GaN) 650 V certifiés JEDEC et AEC-Q101, a révélé avoir livré plus de 500 000 transistors à effet de champ (Field Effect Transistor, FET) GaN haute tension. La société a franchi cette étape décisive à l’heure où ses clients continuent d’adopter sa plateforme GaN haute fiabilité et haute qualité.

Adoption des solutions GaN haute tension

Les clients des vastes marchés de l’industrie, des infrastructures, de l’informatique et des jeux sur PC ont annoncé publiquement que des dispositifs en cours de production étaient fabriqués grâce à la technologie GaN de Transphorm. Ils illustrent la confiance croissante dans les solutions GaN, qui selon les prévisions devraient constituer un marché attractif.

En fait, le cabinet d’analystes IHS Markit Technology, qui fait désormais partie d’Informa Tech, prévoit que les revenus totaux en termes de dispositifs passifs, de modules et de circuits intégrés de système GaN devraient atteindre les 1,2 milliard USD d’ici 2028. Environ 750 millions USD de ces revenus (près des deux tiers du marché total) seront générés par des solutions GaN à haute tension.1

« Nous sommes arrivés sur le marché avec le dispositif normalement fermé à deux puces le plus robuste au moment où l’industrie était plus habituée aux MOSFET normalement fermés à une puce en silicium », a déclaré Primit Parikh, cofondateur et directeur d’exploitation chez Transphorm. « Comme le prouve l’élan du public en notre faveur ainsi qu’en faveur d’autres fabricants renommés tels que Power Integrations dans le domaine des adaptateurs grand public, la solution GaN normalement fermée à deux puces représente la conception de FET GaN à haute tension la plus pratique qui existe aujourd’hui. En fait, c’est cette conception qui permet aux solutions GaN de Transphorm de fournir des performances élevées avec une grande robustesse, et qui a conduit à plus de 5 milliards d’heures (avec un taux FIT < 2) de données de fiabilité sur le terrain à ce jour. »

Le succès de Transphorm en matière d’adoption continue d’être largement motivé par la Qualité et la Fiabilité (Q+F) de ses produits. Cette Q+F s’explique par la robuste plateforme GaN normalement fermée de la société, par le contrôle strict de son processus épitaxial et par ses capacités de fabrication - tout ceci faisant que la société est bien placée pour répondre aux exigences en termes de volume et de qualité de divers marchés intersectoriels, du marché des adaptateurs grand public à celui de l’automobile. Ensemble, ces éléments permettent à la société de produire des FET GaN offrant une fiabilité, une souplesse de conception, une manœuvrabilité et une reproductibilité sans précédent.

« Suite à notre succès sur les marchés de base de la forte puissance ciblés par les solutions GaN, nous travaillons maintenant aussi avec des clients de marchés à la croissance rapide qui sont mal desservis par le silicium, comme par exemple des clients des marchés des adaptateurs grand public et des décodeurs », a confié pour sa part Philip Zuk, vice-président du marketing technique mondial et des ventes nord-américaines chez Transphorm. « La majorité des produits que nous avons livrés à ce jour étaient destinés à des applications à forte puissance. Ces plus de 500 000 FET 650V équivalent à plus de 4 millions de FET de puissance inférieure (moins de 100 watts), ce qui est la preuve de nos capacités de production en termes de volume. »

Fiabilité sur le terrain

Il y a un an, Transphorm a lancé le premier ensemble complet de données de validation concernant les semi-conducteurs de puissance GaN à haute tension. Aujourd’hui, la société a officiellement publié ses dernières données portant sur la fiabilité sur le terrain. Avec plus de cinq milliards d’heures sur le terrain, la technologie GaN de Transphorm affiche actuellement un taux FIT < 2,0 et une spécification PPM < 19,8 par an. Pour plus d’informations sur la Qualité et la Fiabilité des dispositifs, visitez la page Web Q+F de la société.

Bienvenue à la révolution GaN !

Transphorm conçoit et fabrique les semi-conducteurs GaN de 650 V et 900 V les plus performants et les plus fiables pour les applications de conversion de puissance à haute tension. Transphorm possède l’un des plus importants portefeuilles IP (avec plus de 1 000 brevets déjà émis ou en instance dans le monde entier), et produit les seuls FET GaN certifiés JEDEC et AEC-Q101 du secteur. Ceci s’explique par une approche commerciale à intégration verticale qui permet d’innover à chaque stade du développement (conception, fabrication, dispositif et prise en charge d’applications). Site Web : www.transphormusa.com Twitter : @transphormusa

1 SiC & GaN Power Semiconductors Report, IHS Markit, mai 2019

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

Heather Ailara
211 Communications
heather@211comms.com
Tél. : +1.973.567.6040

 

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